SJ 50033.154-2002 半导体分立器件 3DG251型硅超高频低噪声晶体管详细规范
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ID： |
DA8E4E7A36DF4577A569C1F1D18432E4 |
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文件大小(MB)： |
0.24 |
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9 |
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日期： |
2009-6-11 |
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目,昌,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/154-2002,半导 体 分 立 器 件,3DG251型硅超高频低噪声晶体管,详 细 规 范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DG251 silicon UHF low-noise transistor,2002-10-30发布2003-03-01实施,中华人民共和国信息产业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导 体 分 立 器 件,3DG 25 1型 硅超高频低噪声晶体管,详 细 规 范,Se m ico n du ct or d i sc ret e d e vi ce s,Detailsp ecificationfo rty pe3 DG251si liconU HFlo w-noisetr ansistor,SJ 50033/154-2002,1 范围,1. 1 主题内容,本规 范规定了3DG251型硅超高频低嗓表品钵致不奸丫喊称缈扮命细要求,1.2 适用范围,本规 范 适用 于器件的研制、生产承，采购二-,1.3 分类,本规 范 根 据器件质童等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按G JB33 A--97兔半导体;光互器竹总应范矛1.s的规定，提供的质J截谋征扣;级为普军勇孕、d军级和,超特军级三级，分别用拿母扣之jTVJCT表示,2 引用文件,GB/T4587-94 >-曝导钵分公导件和集成电路、第7部分:‘钱琴择型品体鲜,GBIT 7581---8飞吮半导体分立器件外形尺寸,GJB 33A--97伴导体分立器外总规藤厂、，、、,GJB 128A--97、半导体分立舞件试验方法户,3 要求,3.1 详细要求,各项 要 求 应符合GJB3 3A和禾规范的规定卜,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件 的 设计 、结构和外形尺寸应符u:WB*3301* 范的k定w,3.2.1 引出端材料和镀涂层,发射 极 、 基极和集电极引出端材料为可伐合金，引出端表面镀金,3.2.2 器件结构,采用 硅 平 面NPN双极型外延结构,中华人民共和国信息产业部2002-10-30发布2003-03-41实施,SJ 500331154-2002,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸按OBIT 7581中A4-01C型的规定，见图10,OD,~4}a,回mm,ODD,符号,尺寸,最小标称最大,A 5.34 7.23,扣2甲54,必1 】.01,必d 0.407 0.548,归5甲31 5.84,OD, 4.53 4.95,i 0.92 1.16,K 0.51 1.21,L 12.5 25.0,L1 1.27,引出端极性:,1发射极,2基极,3集电极,4地,图1 外形尺寸图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,最大 额 定 值见表1.,表1 最大额定值,\ pto t,m w,TA=25-C,bCa 0,V,V CEO,V,Ic,m人,Tsta,℃,Tj,℃,3DG251 100 12 10 20 -b5^-200 200,1),3.3.2,当TA>25℃时，按0.57 mWIK线性降额,主要电特性,主要电特性见表2(几=25'C ),5J 500331154-2002,表2 主要电特性,tKA人FEt告) VCEsat,V,hFm ICB01,协A,辰D,u人,介,MFlz,G,dB,Fn,dB,VCE=6 V,左=2 mA,1c=5 MA,几=1 mA,YcE=6 V,1c=0.5 mA,1E= 0,Ycn=8 V,1$= 0,Vcs-6 V,户400 MFiz,Vc t=6V,1c= 2m A,户b00MHz,VC S V,1e 2m A,最小最大最大最小最大最大最小最小最大,3DG251 A,3 DG251 B,40 120 0.3 20 0.1 0.1 2000 9,2,1.5,1)直流法测试,3.4 测试要求,测试 应符合GAB3 3A及本规范苗规定纂,3.5 标志,器件 上 应 有如一F标志巧,器 件型号;,承制 方标志、,4 质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样 和检验雌减苔乙1彝33式一最1.禾规范粉笠努，浓6,表7的规定,4.2 鉴定检验,鉴定 检 验 应减合芬玲 J3A 和}}}L }ti}}}h F}o,4.3筛选(仅对六和-011A),筛选 应 按G fB33 A.表2规定;很体筛选"`求按 :93 进很 窿其测试坷按丰规茄表4的腐定进行，超,过本规范表4极限值的器到戈户剔酥资,表3 筛选 要 求 ,筛 选,见GJB 33A表2,试验 芳矿,GIB 128A VI-1j',条 ;11 ;,一:;、一J3' C,1内部目检2472 兔面蓓显微W,2高温寿命1032 200ro沙8h,3温度循环1051 试验条件C，循环24次,4恒定加速度2006 Y,方向，196 040 mls'保持1 min要求不适用,7密封,a.细检漏,b.粗检漏,1071,条件HI,R t=5 X 1 0"3Pa Cm31s,P =517k Pa,t= 4h,条件C, P=517 kPa, r-2 h,9中间测试电参数ICBO，和hrEt,to高温反偏1039 几=150,C，YC$=9.6 V, 1=48 h,I1中间电参数肠01和hFE1,12功率老炼1439 八=25'C沙往=10 V, P, 144 mW, r--160 h,13终点测试A ACSO]为初始值的100%:640.05 v A,取较大……
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